Elektronenrückstreubeugung (EBSD) ist eine etablierte mikroskopische Analysemethode zur kristallographischen Charakterisierung von Poly- und Einkristallen im Rasterelektronenmikroskop (REM). Ein schräg eingestellter, polierter Probenquerschnitt wird mit einem fokussierten Elektronenstrahl bestrahlt. Beugungsfähige rückgestreute Elektronen erzeugen auf einem szintillatorgekoppelten Detektor charakteristische Kikuchi-Muster, aus denen die lokale Gitterorientierung, Phaseninformation und Qualitätsmaße (z. B. Bandkontrast) bestimmt werden.

Aus orientierungsaufgelösten Messrastern (EBSD maps bzw. EBSD datasets) werden Texturen, Korngrenzcharakteristika, Fehlorientierungsverteilungen (z. B. KAM, GOS) und Plastizitätsindikatoren abgeleitet. Die simultane Phasenerkennung ermöglicht die Analyse multiphasiger Werkstoffe sowie die Identifikation von Ausscheidungen oder Umwandlungsprodukten. Über Korngrenzanalysen (Σ-Grenzen, Hoch-/Niederwinkelgrenzen) können Zusammenhänge zwischen Mikrostruktur und mechanischen wie funktionellen Eigenschaften präzise korreliert werden.

Moderne Entwicklungen umfassen In-situ EBSD, bei der Deformation, Wärmebehandlung oder Phasenumwandlungen innerhalb der EBSD-Aufnahme verfolgt werden. Dies erlaubt die direkte Beobachtung von Kornrotation, Zwillingsbildung, Rekristallisation und Spannungsrelaxation. Ergänzend werden 3D-EBSD (serielle Schnitte) und hochauflösende EBSD-Varianten eingesetzt, um submikroskopische Deformationsstrukturen zu erfassen.

Wesentliche Einschränkungen ergeben sich aus der notwendigen Probenpräparation (hohe Oberflächengüte, geringe Verformungsrandzone) sowie aus der Beugungsgeometrie (leitfähige, meist kristalline Materialien). Trotz dieser Grenzen ist EBSD heute eine Schlüsselmethode zur quantitativen Mikrostrukturcharakterisierung und zur Validierung kristallplastischer Modelle.