Die Zielpräparation von elektronentransparenten Querschnitten wird in der Halbleiterindustrie in der Regel mit fokussierten Ga-Ionenstrahlen (FIB) durchgeführt. Es wird am Beispiel von Si und GaAs gezeigt, dass die Reduzierung der Beschleunigungsspannung der Ga-Ionen von 30 kV auf 2 kV „low voltage“ die Schädigung der Probenoberfläche durch die Bestrahlung vermindert bzw. beseitigt. Die stetige Verbesserung der Abbildungsleistung der Ionenquellen auch bei geringen Beschleunigungsspannungen macht die „low voltage“ Politur von elektronentransparenten TEM-Lamellen zu einer praktikablen Methode zur signifikanten Verminderung von Präparationsartefakten.