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28.09.2016 (CEST)
Focused Ion Beam (FIB)-basierte Zielpräparation an Transistoren der 70 nm-Generation zur Elektronenholographie
Uwe Mühle, Jan Sickmann, and Lutz Hillmann
Kurzfassung

Bei der Präparation von holographiefähigen TEM-Proben müssen Voraussetzungen beachtet werden, die über die konventionelle TEM-Präparation hinausgehen und deren Realisierung mit der Verkleinerung der Zielobjekte immer schwieriger wird. Es werden zwei Varianten einer neuen Anordnung für die FIB-basierte Zielpräparation von Einzeltransistoren aktueller Strukturbreiten in der Mikroelektronik vorgestellt. Die Ergebnisse der holographischen Untersuchungen bestätigen die Anwendbarkeit der Präparationsroute.

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Uwe Mühle, Jan Sickmann, and Lutz Hillmann (2009). Focused Ion Beam (FIB)-basierte Zielpräparation an Transistoren der 70 nm-Generation zur Elektronenholographie. Practical Metallography: Vol. 46, No. 10, pp. 509-520. doi: 10.3139/147.110067 © Carl Hanser Verlag GmbH & Co. KG ISSN 0032-678X

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