| Kurzfassung |
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Bei der Präparation von holographiefähigen TEM-Proben müssen Voraussetzungen beachtet werden, die über die konventionelle TEM-Präparation hinausgehen und deren Realisierung mit der Verkleinerung der Zielobjekte immer schwieriger wird. Es werden zwei Varianten einer neuen Anordnung für die FIB-basierte Zielpräparation von Einzeltransistoren aktueller Strukturbreiten in der Mikroelektronik vorgestellt. Die Ergebnisse der holographischen Untersuchungen bestätigen die Anwendbarkeit der Präparationsroute.
Uwe Mühle, Jan Sickmann, and Lutz Hillmann (2009). Focused Ion Beam (FIB)-basierte Zielpräparation an Transistoren der 70 nm-Generation zur Elektronenholographie. Practical Metallography: Vol. 46, No. 10, pp. 509-520. doi: 10.3139/147.110067 © Carl Hanser Verlag GmbH & Co. KG ISSN 0032-678X
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