Der technologische Fortschritt bei mikroelektronischen Bauelementen steht in direktem Zusammenhang mit der Möglichkeit, in immer kleineren Abmessungen Transistorschaltungen und Verbindungen auf Waferebene mit gleichen oder sogar besseren elektrischen Eigenschaften und gleicher Funktionalität herzustellen. In der Mikrochipherstellung werden bestehende Fertigungstechniken sowie materialwissenschaftlichen Methoden folglich durch jede neue Generation vor die Herausforderung gestellt, höhere Aufgaben erfüllen und Eigenschaften der eingearbeiteten Dielektrika und abgeschiedenen Metallschichten mit Abmessungen im nm-Bereich charakterisieren und steuern zu müssen. Diese Arbeit veranschaulicht Untersuchungsverfahren, die zur Entwicklung von stromlos aufgebrachten galvanischen Kupferschichten einer Dicke von weniger als 3 nm mit dem Ziel angewendet wurden, einen leitfähigen Kupferkeim für anschließendes galvanisches Beschichten mit Kupfer vorzusehen, um duale Damascener-Strukturen des 14 nm- oder 10 nm-Technologieknotens zu füllen. Die dabei eingesetzten Verfahren waren AFM, Ellipsometrie, Vierpunkt-Widerstandsmessung, XPS, EELS, XRF, XRD, FIB/HR-STEM und HR-TEM.