Zur Untersuchung der Beziehung zwischen der Verteilung von gelösten Stoffen und der elektrischen Leitfähigkeit des Werkstoffes wurde eine Cu–8 %Ag-Legierung bei verschiedenen Wachstumsgeschwindigkeiten gerichtet erstarrt. Der Temperaturgradient wurde mit 6,1 K/mm festgesetzt und die Wachstumsrate wurde zwischen 1 µm/s und 200 µ m/s variiert. Im Rahmen dieser Versuche wurden zwar die zellularen und dendritischen Grenzflächenmorphologien betrachtet, jedoch nicht die planare Grenzfläche. Bei Erhöhung der Geschwindigkeit sank der ursprüngliche Gehalt an Silber, während er nahe der Dendritengrenze zunahm. Eine Messung durch Berechnung anhand des VASP-Codes (Vienna Ab-initio Package Simulation) ergab, dass sich die Gitterkonstante der Cu – Ag-Legierung bei steigender Anzahl der Silberplätze im Kupfergitter erhöht. Der Wert der Gitterkonstante verringert sich außerdem bei einer Erhöhung der Geschwindigkeit aufgrund des sinkenden Silbergehalts in der Matrix. Bei höheren Wachstumsgeschwindigkeiten konnte eine höhere elektrische Leitfähigkeit erzielt werden.