Lecture
EWCPS 2025 - 20th European Winter Conference on Plasma Spectrochemistry
Halbleitermaterialien besitzen eine Bandlücke im Bereich von ca. 0,1–4 eV und ermöglichen gezielte Steuerung der Ladungsträgerdichte durch Dotierung und Defektengineering. Klassische Systeme sind Si, Ge und III-V-Verbindungen, ergänzt durch Wide-Bandgap-Materialien (SiC, GaN) und 2D-Halbleiter. In der Werkstoffwissenschaft stehen Kristallqualität, Versetzungsdichte, Grenzflächen und Diffusionsprozesse im Fokus, da sie elektrische, optische und thermische Eigenschaften von Bauelementen und Leistungsmodulen maßgeblich bestimmen.
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