Ge2Sb2Te5 ist ein Phase-Change-Material, das in nichtflüchtigen Speichertechnologien Anwendung findet. Es zeigt reversible Strukturänderungen zwischen amorphen und kristallinen Zuständen, die zu signifikanten Unterschieden in elektrischen und optischen Eigenschaften führen. Die Materialcharakterisierung ist zentral in der Werkstoffforschung.