PbZrO3 Dünnfilme werden hinsichtlich ihrer antiferroelectricen Eigenschaften, Phasenübergänge und Grenzflächenwirkungen untersucht. Diese dünnen Schichten finden Anwendung in elektronischen Speicherelementen und Schaltkomponenten, wobei die Kontrolle der Filmdicke essenziell für die Optimierung der Materialeigenschaften ist.