Epitaktisches Wachstum beschreibt den kontrollierten Aufwuchs von Kristallschichten auf einem Substrat, bei dem die neu abgeschiedene Schicht die Kristallorientierung des Substrats übernimmt. Diese Technik ist besonders in der Halbleitertechnik und Werkstoffforschung wichtig, um hochreine Strukturen zu erzeugen.