Eine p-n-Heterojunktion bildet sich an der Grenzfläche zwischen Materialien mit unterschiedlicher Dotierung und schwankenden Bandlücken. Diese Struktur ermöglicht den kontrollierten Fluss von Ladungsträgern, was sie entscheidend für die Leistungsfähigkeit von Halbleiterbauelementen in elektronischen und optoelektronischen Anwendungen macht.