Molekulare Strahlenepitaxie ist eine präzise Dünnschichtabscheidungsmethode, bei der atomare Ströme unter ultrahohen Vakuumbedingungen auf Substrate gelenkt werden. Diese Technik ermöglicht die kontrollierte Herstellung von Materialien mit hoher Kristallinität, was insbesondere in der Halbleiter- und Optoelektronik von großer Bedeutung ist.