Gradient Bandgap Engineering bezieht sich auf die gezielte Modifikation der elektronischen Bandlücke in Halbleitermaterialien durch schrittweise veränderte Zusammensetzungen oder strukturelle Änderungen. Mit dieser Methode können Übergangsbereiche und Ladungsträgereigenschaften feinjustiert und so die Effizienz von optoelektronischen Bauelementen verbessert werden.