Schottky-Schranken entstehen an Metall-Halbleiter-Grenzflächen, wo sich ein Raumladungsgebiet bildet. Dieses Phänomen steuert die Verteilung und Mobilität der Ladungsträger in elektronischen Bauelementen. Werkstoffwissenschaftliche Ansätze zielen darauf ab, Schottky-Barrieren zu modifizieren, um Diodeneigenschaften und Leistung in Hochfrequenzanwendungen zu verbessern.