Der erweiterte Gate FET ist eine Variante des Feld-Effekt-Transistors, bei der das Gate erweitert wird, um die Isolation zwischen Sensorik und aktiver Elektronik zu verbessern. Diese Technologie findet Anwendung in der Sensorik und Mikroelektronik, da sie präzisere Steuerungs- und Messsysteme ermöglicht.