Resistives Schalten bezeichnet reversible Änderungen des elektrischen Widerstands in dünnen dielektrischen oder oxidischen Schichten unter externer Spannung. Es beruht auf ionischer Migration, Filamentbildung, Redoxreaktionen oder Phasenübergängen und ermöglicht nichtflüchtige Zustände für Speicheranwendungen. In ReRAM-Bauelementen werden so mehrere Widerstandsniveaus realisiert. Mikrostruktur, Defektchemie, Elektrodenwerkstoffe und Grenzflächen bestimmen Schaltpolarität, Stabilität, Skalierbarkeit und Zyklierbarkeit.