In den Untersuchungen zu dieser Studie kristallisierten amorphe Siliziumschichten (a-Si), die mittels Elektronenstrahlverdampfung auf (100) p+, (110) p+ und (111) p+ Siliziumwafer-Substrate aufgebracht wurden, bei 600 °C durch Festphasenepitaxie. Die Keimbildungszeiten waren unterschiedlich, da die Anzahl der vorhandenen lose hängenden Bindungen auf der Substrat- oberfläche und auch der Kontaktgitterabstände je nach Kristallisationsrichtung Unterschiede aufwiesen. Die kristallisierte Si-Schicht wies viele Defekte auf, die sich mit zunehmender Glühdauer verringerten. Sie enthielt außerdem mehr Risse. Die Kristallisation der a-Si-Schicht auf dem (111)-Siliziumsubstrat erfolgte nicht durch Epitaxiewachstum. Die kristallisierte Si-Schicht enthielt Kristallkörner kleiner 1 μm Korngröße.