Die chemische Gasphasenabscheidung ist ein Verfahren zur Herstellung dünner Schichten durch Reaktion gasförmiger Prekursoren auf einer Substratoberfläche. Dieses Verfahren ermöglicht präzise Steuerung der Schichtdicke und Zusammensetzung, was essenziell für Halbleiter- und Beschichtungsanwendungen ist.