p-n Heterostrukturen bilden sich an den Grenzflächen zwischen p-dotierten und n-dotierten Halbleiterbereichen und bilden die Grundlage zahlreicher Elektronik- und Optoelektronikbauteile. Deren Gestaltung beeinflusst maßgeblich die Effizienz der Ladungstrennung und die Gesamtleistung des Geräts.