Anisotropes nasschemisches Ätzen ermöglicht die selektive Entfernung von Material unter kontrollierter Einwirkung chemischer Mittel, wobei ätzrichtungsabhängige Reaktionsraten genutzt werden. Diese Technik ist zentral für die Erzeugung präziser mikrostrukturierter Oberflächen und die Realisierung komplexer Muster in der Halbleiter- und Werkstofftechnik.