Radikale Dotierung bezeichnet das gezielte Einbringen von freien Radikalen oder radikalbildenden Agentien in Materialien, um deren elektronische, magnetische oder strukturelle Eigenschaften zu modifizieren. Durch die Nutzung ungerader Elektronenzustände können Leitfähigkeit, Reaktivität und Defektstrukturen gezielt verändert werden, was in der Entwicklung neuer Halbleiter, Katalysatoren und Sensoren Anwendung findet.