Die plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung kombiniert Plasmaaktivierung mit chemischen Gasphasenprozessen zur Herstellung dünner Filme. Dieser Ansatz ermöglicht eine verbesserte Kontrolle über Schichtdicken, Zusammensetzung und Struktur bei niedrigen Temperaturen, was insbesondere für empfindliche Substrate von Bedeutung ist.