Die magnetfeldassistierte chemische Gasphasenabscheidung kombiniert konventionelle CVD-Prozesse mit externen Magnetfeldern, um die Abscheidungsrate, Filmstruktur und Zusammensetzung zu beeinflussen. Dadurch können gezielte Eigenschaften in Beschichtungen erzielt werden, was für Anwendungen in der Halbleiter- und Nanotechnologie von Vorteil ist.