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08.09.2016
Qualität von Si-Wafer-Schliffen für die Raman-Spektroskopie
F. Kolb, M. Deluca, and G. A. Maier
Kurzfassung

Um gute Messungen am Raman-Spektrometer durchführen zu können, ist es wichtig zu wissen, welche Spannungen bzw. lokale Änderungen in der Probe erst durch die Präparation entstanden sind. Hierfür wurde ein Versuchsaufbau erstellt, der über die entstandenen Veränderungen der Materialstruktur Aufschluss gibt und somit eine optimale Schliffpräparation für die Raman-Spektroskopie ermöglicht.

 

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F. Kolb, M. Deluca, and G. A. Maier (2015). The Quality of Prepared Specimens of Si-Wafers for Raman Spectroscopy. Practical Metallography: Vol. 52, No. 7, pp. 355-373. doi: 10.3139/147.110345 © Carl Hanser Verlag GmbH & Co. KG ISSN 0032-678X

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