| Kurzfassung |
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Aluminiumgussteile mit Siliziumgehalt oberhalb des Eutektikums werden zu einem immer wichtiger werdenden Produkt. Sie entsprechen, insbesondere in der Automobil- und Luftfahrtbranche, einer Vielzahl an technischen Spezifikationen im High-End-Bereich. Ihre hervorragenden Eigenschaften sind in höchstem Maße von ihrem Gussmikrogefüge abhängig. Konventionelle Gießverfahren führen zu großen Primärsiliziumpartikeln in vielfältigen Morphologien. Dies führt beim Zerspanen dieses Werkstoffes zu einer drastisch verkürzten Werkzeuglebensdauer, auf Grund dessen im Bereich der Schmelzeveredelung/Feinung der Schmelze fortwährend geforscht wird. Es wurde gezeigt, dass ein Verfahren utraschallunterstützten chemischen Tiefätzens primäre und eutektische Siliziumkristalle differenziert offenbaren kann, wobei deren räumliche Verteilung bei der Ausscheidung aus dem Eutektikum während der Erstarrung erhalten bleibt. Mittels Rasterelektronenmikroskopie wurden in einer Legierung im Gusszustand verschiedene polyedrische Wachstumsmorphologien, überwiegend gröbere Plättchen, sternförmige und blockartige Strukturen beobachtet. Da diese metallurgische Probenbearbeitung bis zu einem gewissen Grad ortsaufgelöste Informationen zur Morphologie und der Verteilung der Siliziumkristalle liefert, eignet sie sich zur Beurteilung der Leistungsfähigkeit von Veredelungsverfahren/Feinungsverfahren beim Erzielen feiner und gleichmäßig dispergierter Siliziumpartikel in der eutektischen Phase.
L. García, C. Dietz, A. J. Criado, and J. A. Martínez (2014). Selective Etching Procedure for Observation of Primary Silicon Morphologies in V-AlSi20 Master Alloy. Practical Metallography: Vol. 51, No. 10, pp. 709-721. doi: 10.3139/147.110314 © Carl Hanser Verlag GmbH & Co. KG ISSN 0032-678X
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