NiO- und CeO₂-Trennschichten bei YBa₂Cu₃O₇ (YBCO)-beschichteten Leitern wurden auf biaxial texturierten Ni-Substraten durch metall-organisch- chemische Dampfabscheidung (MOCVD) abgeschieden. Das Ni-Bandsubstrat wurde durch 6-stündiges Sintern von Ni-Pulver bei 1100°C hergestellt und zu dünnen Streifen kaltgewalzt. Die nachfolgende Wärmebehandlung der Ni-Streifen bei 1000°C führte zur Entwicklung einer (200)- Textur. Die Oberflächenbedingungen der beschichteten Lagen wurden als Funktion des Sauerstoffpartialdrucks (P_O2) und der Abscheidungstemperatur charakterisiert. Nach den Ergebnissen aus Rasterkraftmikroskopie und REM lag die mittlere Oberflächenrauigkeit von NiO im Bereich von 3,1–4,6 nm, was wesentlich glatter war bei Präparation durch eine Oxidationsmethode. Bei Ce_O2-Schichten betrug die Oberflächenrauigkeit bis zur Beschichtungstemperatur von 500 °C weniger als 15 nm, nahm jedoch rasch bei T = 520°C aufgrund des raschen Kornwachstums im Ce_O2 zu. Die (200)-Textur des CeO2 bildete sich bei T = 500°−520°C, t = 3−15 min und P_O2 = 2,30 torr.