MOCVD

MOCVD ist ein chemisches Gasphasenabscheidungsverfahren, bei dem flüchtige, metallorganische Precursor thermisch zersetzt werden, um Dünnschichten, meist von Halbleitern oder Oxiden, abzuscheiden. Durch präzise Steuerung von Precursorfluss, Temperatur und Trägergas lassen sich Schichtdicke, Zusammensetzung, Dotierung und Epitaxie kontrollieren. MOCVD ist zentral für III‑V‑Halbleiter, LEDs und HEMTs.