Mittels Transmissionselektronenmikroskopie wurde die Kristall- und Zusammensetzungsstruktur von heterostrukturierten Halbleiternanodrähten untersucht. Die natürliche Geometrie der untersuchten InP-GaAs-Nanodrähte (Durchmesser 80–100 nm) ist im Allgemeinen für eine zuverlässige TEM-Bildgebung hoher Auflösung zu dick. Die Nanobeugung (NBED) erweist sich als leistungsstarke Technik, um Dehnungen nahe der Grenzfläche zur sich ändernden Zusammensetzung in den bei heterostrukturierten Halbleiternanodrähten aufzuzeigen. Ferner wurde mittels NBED die relative Orientierung der Nanodrähte untersucht. Dabei zeigte sich, dass die Nanodrähte sehr flexibel sind. NBED erweist sich hinsichtlich der Ermittlung der Kristallorientierung und dem Mapping als geeignete Alternative zur Konvergenzstrahlelektronenbeugung und Elektronenrückstreubeugung.