Die Möglichkeiten transmissionselektronenmikroskopischer Analysen an komplexen Werkstoffsystemen sind in hohem Maße von den verfügbaren Präparationsmethoden abhängig. Die Focused-Ion-Beam-Technik mit der Möglichkeit hochqualitativer Zielpräparationen mit Genauigkeiten im Bereich 10–8 m erweitert das Anwendungsspektrum beträchtlich. Die vorgestellte Methode nutzt einen metallographischen Schliff, an dem mit lichtoptischen oder rasterelektronenmikroskopischen Mitteln eine Charakterisierung und Auswahl der speziell interessierenden Details stattfinden kann. Untersuchungsobjekt ist das Grenzflächensystem einer Lötverbindung, wie sie bei der Montage von Chips entsteht. Der metallographische Schliff wird für die Arbeit im Focused-Ion-Beam-Gerät vorbereitet, mit einem Liftout-System wird eine Lamelle entnommen und an einem TEM-Probenträger befestigt. Die finalen Polierschritte erzeugen eine TEM-Probe, die für eine Reihe von zusätzlichen Untersuchungen (analytische TEM, Beugungsuntersuchungen) besonders geeignet ist.