Germaniumzugabe bezeichnet die Dotierung oder Legierungsbildung mit Ge zur Modifikation elektronischer, optischer oder diffusionstechnischer Eigenschaften. In Halbleitern beeinflusst Ge Bandstruktur, Ladungsträgerbeweglichkeit und Spannungszustände; in Metallen und Oxiden steuert es Phasengleichgewichte, Korrosionsverhalten und Diffusionspfade. Präzise Ge-Konzentrationen sind entscheidend für maßgeschneiderte Funktional- und Strukturwerkstoffe.