chemisch-mechanisches Polieren

Chemisch-mechanisches Polieren kombiniert chemische Reaktion und mechanische Abrasion, um Oberflächen mit atomarer Glätte zu erzeugen. Eine Slurry aus abrasiven Partikeln und Reagenzien bildet eine reaktive Schicht, die durch Polierbewegung kontinuierlich entfernt wird. In der Mikro- und Nanoelektronik dient CMP zur planaren Strukturierung von Metallen, Dielektrika und Halbleitern und beeinflusst Defektdichte, Rauheit und Integrität von Grenzflächen.