Im Rahmen der vorliegenden Arbeit wurde eine von der Firma PLANSEE entwickelte C/C-Cu-Verbindung hinsichtlich der auftretenden Mikrostruktur der Grenzfläche untersucht. Die Kenntnis des Aufbaus der Verbindungszone ist essentiell für das Verständnis des mechanischen Verhaltens der Verbindung. Zum einen wurden daher die auftretenden Phasen mittels Röntgenspektroskopie analysiert, zum anderen wurde die Morphologie des Grenzflächenbereichs an Querschliffen im Rasterelektronenmikroskop untersucht. Es wurden dabei mit unterschiedlichen Herstellparametern gefertigte Proben analysiert. Es zeigt sich, dass abhängig vom Si-Gehalt, deutlich unterscheidbare Mikrostrukturen in der Verbindungszone C/C-Cu entstehen, die in weiterer Folge auch für das unterschiedliche mechanische Verhalten verantwortlich sind.