Elektromigration ist der durch den Elektronenfluss verursachte gerichtete Transport von Atomen in Leitern. Der Impulsübertrag der Elektronen führt zu Materialverlagerung, Hohlraumbildung und Hillocks, was zu Leitungsunterbrechungen und Zuverlässigkeitsproblemen in Mikroelektronik führt. Modellierung umfasst Diffusion, effektive Ladungszahl, Temperaturfelder und mechanische Spannungen.