Chemische Gasphasenabscheidung (CVD) ist ein Oberflächenverfahren, bei dem gasförmige Vorläufer an einer Substratoberfläche reagieren und dünne Filme oder Schichten bilden. Varianten wie PECVD oder MOCVD erlauben Kontrolle von Zusammensetzung, Kristallinität und Mikrostruktur, entscheidend für Halbleiter, Schutzschichten und funktionale Oberflächen.