epitaxiales Wachstum

Epitaxiales Wachstum bezeichnet das geordnete Aufwachsen einer kristallinen Schicht auf einem einkristallinen Substrat, wobei eine definierte orientierungsbezogene Gitterbeziehung besteht. Es ermöglicht die gezielte Einstellung von Defektdichte, Verspannung, Dotierung und Schichtdicke, etwa in Halbleiter-Heterostrukturen oder Dünnfilm-Supraleitern. Verfahren umfassen u. a. MBE und CVD; Gitterfehlanpassung führt zu Versetzungen und beeinflusst elektronische und mechanische Eigenschaften.