Elektronenrückstreu-Diffraktion im Rasterelektronenmikroskop nutzt Beugung rückgestreuter Elektronen an Kristallgittern, um lokale Kristallorientierung, Phasen und Fehlorientierungen mit hoher lateraler Auflösung zu bestimmen. Sie liefert Orientierungsabbildungen, Texturen und Kornstrukturinformationen und ist ein zentrales Werkzeug der Mikrostrukturcharakterisierung und Plastizitätsforschung.