Atomlagenabscheidung ist ein chemisches Gasphasenabscheidungsverfahren mit alternierenden, selbstlimitierenden Oberflächenreaktionen, das die Herstellung ultradünner, konformer Schichten mit atomarer Dickenkontrolle ermöglicht. In den Werkstoffwissenschaften wird es zur Abscheidung von Oxiden, Nitriden, Metallen und Hybridmaterialien auf komplexen 3D-Substraten eingesetzt. Es erlaubt präzise Einstellung von Zusammensetzung, Defektgehalt und Grenzflächen für Mikroelektronik, Energiespeicher und Schutzschichten.