Bor-Dotierung bezeichnet die gezielte Einbringung von Bor in Kristallgitter, typischerweise von Halbleitern oder Hartstoffen, zur Modifikation elektrischer, mechanischer oder chemischer Eigenschaften. In Silizium erzeugt Bor p-leitende Zonen, in Diamant und Bornitrid beeinflusst es Härte und Leitfähigkeit. Diffusion, Löslichkeitsgrenzen und Aktivierung bestimmen das Dotierungsprofil.