PVD-Verfahren, bei dem ein Target durch ein Plasma im Magnetronsputterbetrieb zerstäubt wird und gleichzeitig ein Reaktivgas (z.B. N2, O2) zugegeben wird. An der Substratoberfläche bilden sich so Verbindungen wie Nitride oder Oxide mit kontrollierter Stöchiometrie. Reaktives Magnetronsputtern erlaubt dichte, haftfeste Dünnschichten mit einstellbarer Mikrostruktur, Eigenspannung und Eigenschaften für Hartstoff-, Funktions- und Barriereschichten.