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MSE 2024
Chemische Gasphasenabscheidung ist ein dünnschichtbildendes Verfahren, bei dem gasförmige Precursoren an einer erhitzten Oberfläche chemisch reagieren und feste Schichten abscheiden. Parametervariation von Temperatur, Druck und Gaszusammensetzung steuert Stöchiometrie, Kristallstruktur, Schichtdicke und Defektdichte. CVD ermöglicht die Abscheidung von Metallen, Keramiken und Halbleitern mit hoher Reinheit, Konformität und Haftung und ist zentral für Mikroelektronik, Hartstoff- und Barriereschichten.
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